성심산학협력단

HZO 기반 고성능 저전력 반도체 디바이스 개발, ALD를 이용한 게이트 절연막 증착  연구, 2D 물질 소자에서 저주파 노이즈 분석 및 모델링, 차세대 전력 반도체 디바이스 (β-Ga2O3 기반) 연구등을 주로 하고 있다. 그리고 차세대 나노소자를 이용한 뉴로모픽 소자연구를 진행하고 있다. 2019년 미국 Purdue University (West Lafayette)에서 2D 물질을 이용한 소자 개발 및 저주파 노이즈의 메커니즘 분석에 대한 연구로 박사학위를 받았다. 학위 과정 동안, 미국 Sandia Nantional Lab, NIST, SLAC에서 방문 연구원으로 일했고, 2020년 2월부터 2023년 2월까지 삼성전자 반도체 연구소 DRAM TD팀에서 책임연구원으로 소자개발을 했다. 담당 업무들은 10nm, 14nm DRAM 개발, NC-FETs 연구, DDR5, GDDR6, LP5 (High-k를 이용) 양산 개발 참여, 그리고 소자 신뢰성 측정 및 분석, 모델링을 진행했다.
2023년 3월부터 가톨릭대학교 정보통신전자공학부에서 차세대 나노소자 연구실을 운영해 오고 있다.

Prof. Jiseok Kwon's research group primarily focuses on the development of high-performance, low-power semiconductor devices based on HZO, gate insulating film deposition technology using ALD, low-frequency noise analysis and modeling using 2D materials, and next-generation power semiconductor devices based on β-Ga2O3.
Recently, we are conducting research on optimization of OPC process using deep learning with Purdue University (U.S.A.).
Prof. Kwon received his Ph.D. in 2019 from Purdue University (West Lafayette, USA), where he conducted research on device development using 2D materials and the analysis of low-frequency noise mechanisms. He has worked as a visiting researcher at Sandia National Laboratories, NIST, and SLAC in the United States.
From February 2020 to February 2023, he worked as a principal researcher at Samsung Electronics Semiconductor R&D Center, DRAM TD team. His responsibilities included developing 10nm and 14nm DRAM, researching NC-FETs, participating in the mass production development of DDR5, GDDR6, and LP5 (utilizing High-k), and conducting reliability measurements, analysis, and modeling of devices.
Since March 2023, Prof. Kwon has been leading the Advanced Nano Device Laboratory in the Department of Information, Communication, and Electronic Engineering at The Catholic University of Korea.